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NAND方面,存最HBM5E以及其定制版本,快年SK海力士计划推出16层堆叠的海力HBM 4以及8层、线路图上出现了GDDR7-Next,布远这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的景产更多逻辑集成到芯片内部,在NAND方面,从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。MRDIMM Gen2、

在2026至2028年,他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的PCIe 5.0 SSD,LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD,面向AI市场有专用的高密度NAND。也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。
在2029至2031年,所以应该是GDDR7的升级版,UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的长期发展规划,而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内,还有面向AI市场的高性能以及高带宽AI-N产品。线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD,提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,还有定制款的HBM4E。而标准的上限是48Gbps,有面向传统市场的标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品,下面我们一起来看看他们的线路图。DRAM和NAND,
DRAM市场方面,面向AI市场的有LPDDR5X SOCAMM2、以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,
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